GT60N321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT. GT60N321. High Power Switching Applications. Fourth Generation IGBT 60A 1000V 170W TO3P
آی جی بی تی GT60N321 با جریان 60 آمپر و ولتاژ 1000 ولت می باشد.
برای خرید IGBT مدل GT60N321 به صورت اینترنتی می توانید از همین صفحه اقدام نمایید.
جهت دریافت فایل بر روی نام آنها کلیک نمایید
ثبت دیدگاه
حساب کاربری
جهت ثبت دیدگاه نیاز به ورود به حساب کاربری میباشد، قبلا ثبتنام کردهاید ؟ وارد شوید
کاربر گرامی، دیدگاه شما پس از تایید تیم مدیریت جهت دیگر کاربران نمایش داده خواهد شد.