TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT. GT60N321. High Power Switching Applications. Fourth Generation IGBT 60A 1000V 170W TO3Pآی جی بی تی GT60N321 با جریان 60 آمپر و ولتا...
IGBT N-CH 30A 600VHigh speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technology. with soft, fast recovery anti-parallel diode. IKW30N60H3. 600V high speed switching series third generation
IGBT - N- Channel - Single - 1200V - 25A , آی جی بی تی GT25Q102 یک IGBT با جریان 25 آمپر و ولتاژ 1200 ولت می باشد. از آی جی بی تی 25Q102 اکثرا در دستگاه های اینورتر و جوش استفاده می شود.آی جی بی تی...
IGBT 50A 600Vآی جی بی تی FGH50N6S2D , یک IGBT پر قدرت N-channel با یک دیود موازی داخلی است. ولتاژ آی جی بی تی FGH50N6S2D مقدار 600 ولت و جریان این IGBT مقدار 50 آمپر می باشد.از ویژگی های آی جی بی ت...
IGBT 60A 600V VCE=2.3V IC=60A , آی جی بی تی FGH60N60SFD یک IGBT با جریان 60 آمپر و ولتاژ 600 ولت می باشد. از آی جی بی تی 60N60 اکثرا در دستگاه های اینورتر و جوش استفاده می شود.آی جی بی تی جزو نیمه ...
IGBT IKW30N60T. 600V. 30A. 1.5V. 175°C. K30T60. PG-TO247-3 , آی جی بی تی K30T60 یک IGBT با جریان 30 آمپر و ولتاژ 600 ولت می باشد. از آی جی بی تی K30T60 اکثرا در دستگاه های اینورتر و جوش استفاده می ...